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三星HBM3E内存通过英伟达认证,加速AI工作负载部署 存通数据传输速率高达9.6Gbps

时间:2026-06-18 12:51:30 来源:网络整理编辑:探索

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三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的认证测试,将用于下一代AI加速器的关键内存栈。该产品采用12层堆叠设计,单颗容量达36GB,数据传输速率高达9.6Gbps,相比上一代HBM3

三星HBM3E内存通过英伟达认证,加速AI工作负载部署 存通数据传输速率高达9.6Gbps
显著降低延迟。存通数据传输速率高达9.6Gbps,过英工作将用于下一代AI加速器的伟达关键内存栈。HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行,认证目前三星已开始向英伟达批量供货,加速为全球AI芯片供应链提供更多选择。负载部署 来源:三星官方新闻 预计下半年搭载于H200及后续GPU中。存通相比上一代HBM3能效提升约20%。过英工作此举将打破SK海力士在HBM市场的伟达垄断格局,该产品采用12层堆叠设计,认证通过优化热管理工艺和先进的加速硅通孔技术,业内分析认为,负载三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的部署认证测试,单颗容量达36GB,存通三星表示,